在MEMS芯片环境温度测量领域，热阻、热电堆和PN结测温构成三大核心技术路线：

1. 热阻测温技术
   基于热敏材料（如铂金属或掺杂硅）的电阻温度系数恒定性，通过测量电阻变化实现温度检测。该技术需配置恒流源供电，输出信号直接对应绝对温度值。在MEMS实现中，通常采用铂电阻（如PT100）结构，其电阻值随温度呈线性变化。

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4. 热电堆测温技术
   利用塞贝克效应，通过多组热电偶（典型为多晶硅/铝结构）串联将温差转换为电压信号。关键技术在于冷端补偿，MEMS实现方案通常将热电堆结构悬置于氮化硅薄膜上，热端吸收红外辐射，冷端锚定在衬底保持基准温度。

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7. PN结测温技术
   基于半导体PN结在恒流偏置下结电压与温度的负相关性（约-2mV/℃），可直接输出与绝对温度对应的电压或数字信号，无需外部参考源。

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【应用选型指南】

工业高精度监测场景（如化工反应釜-50~500℃控温）：

• 优选PT100热阻方案

• 优势：宽温域（-200~850℃）、A级精度（0.15℃+0.002|t|）、抗振动

• 注意点：需控制自热效应，功率预算需＞5mW

非接触式检测场景（如高压电机表面50~150℃监测）：

• 推荐热电堆方案

• 优势：10-30cm非接触测量、响应时间＜100ms

• 关键：需集成冷端温度传感器（如NTC）进行实时补偿

嵌入式低功耗系统（如锂电池-20~60℃监测）：

• 适用PN结方案

• 优势：μW级功耗、I²C数字输出、微米级尺寸

• 局限：高温环境（＞125℃）失效风险

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